고속 스위칭이 진행되는 SiC/GaN 평가에서는 상승 시간 및 리플을 포함한 전류 파형을 정확하게 포착하는 것이 중요합니다. CT6704, CT6705는 광대역화를 통해 이러한 고주파 성분을 포함한 파형 관측을 보다 확실하게 수행할 수 있습니다.

고주파 전류 측정 시, 프로브 내부에서 유도 가열이 발생하기 때문에 측정 전류가 제한됩니다. 그 결과, 과입력으로 인해 시험 중 고장 위험이 높아질 우려가 있습니다. CT6704, CT6705는 이러한 유도 가열을 대폭 저감하도록 설계되어, 평가자가 고주파·대전류 파형을 보다 안전하고 안정적으로 측정할 수 있도록 되어 있습니다.

참고: 동일한 조건에서 기존 기종과 본 기종을 비교했습니다. 이미지는 열화상 카메라를 통해 측정한 결과입니다.

기존에는 발열이나 디레이팅의 제약으로 인해 사용하기 어려웠던 조건에서도, 더 넓은 주파수 레인지로 측정할 수 있게 되었습니다.
엄격한 평가 조건에서도 안전성과 실용성을 모두 확보하며 측정을 진행할 수 있습니다.

플럭스게이트 방식을 채택한 설계로 인해 자체 발열에 의한 오프셋 드리프트를 억제하여, 장시간 연속 관측 시에도 안정적인 파형 평가가 가능합니다.
주변 온도 변화의 영향을 덜 받기 때문에, 재현성을 중시하는 평가에서 안심하고 사용할 수 있습니다.

동일한 전류 프로브를 서로 다른 오실로스코프 브랜드나 연구·평가 환경에서 공통적으로 사용할 수 있습니다. 특정 장비에 국한되지 않으므로 장비 운용의 유연성을 높이고, 기존 자산을 활용한 효율적인 측정 환경 구축에 기여합니다.

또한, HIOKI의 메모리 하이코더 MR6000은 센서 전원 공급을 지원하는 일체형 HIOKI 솔루션으로서, 파형 관측부터 기록까지 원활하게 수행할 수 있습니다.